Référence fabricant | ES2B/1 |
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Numéro de pièce future | FT-ES2B/1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES2B/1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2B/1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES2B/1-FT |
VSSA210HM3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43L-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2G-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2D-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2M-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ015-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4EGU06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS160-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel