maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S70GL02GT11FHV010
Référence fabricant | S70GL02GT11FHV010 |
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Numéro de pièce future | FT-S70GL02GT11FHV010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GL-T |
S70GL02GT11FHV010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8, 128M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 110ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (11x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S70GL02GT11FHV010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S70GL02GT11FHV010-FT |
6116SA35TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA45TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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EP3SE50F780C4
Intel