maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 6116SA35TDB
Référence fabricant | 6116SA35TDB |
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Numéro de pièce future | FT-6116SA35TDB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6116SA35TDB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6116SA35TDB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6116SA35TDB-FT |
MX29GL256FDXGI-11G
Macronix
MX29GL256FUXGI-11G
Macronix
MX29LV040CT2I-90G
Macronix
MX29LV400CBXBC-70G
Macronix
MX29LV400CBXBC-90G
Macronix
MX29LV400CBXBI-90G
Macronix
MX29LV400CTXBC-70G
Macronix
MX29LV400CTXBC-90G
Macronix
MX29LV400CTXBI-90G
Macronix
MX29LV800CBXGI-70G
Macronix
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
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10CX150YF672E6G
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10AX115H3F34E2SG
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EP3SE50F780C4
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