maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / S6X8ECS2
Référence fabricant | S6X8ECS2 |
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Numéro de pièce future | FT-S6X8ECS2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Teccor® |
S6X8ECS2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - état d'arrêt | 600V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 800mV |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 30µA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 1.4V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 510mA |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 3mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 3µA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 8A, 10A |
Type de RCS | Sensitive Gate |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6X8ECS2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S6X8ECS2-FT |
VS-ST303C12LFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFK0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303C12LFK1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S04PFN0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S08PFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S08PFL1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S12PFK0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S12PFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST330C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-5FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6N
Intel
EP2AGX45DF25C4
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
LFEC10E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel