maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / VS-ST303S12PFK0P
Référence fabricant | VS-ST303S12PFK0P |
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Numéro de pièce future | FT-VS-ST303S12PFK0P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-ST303S12PFK0P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - état d'arrêt | 1.2kV |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 3V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 200mA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 2.16V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 300A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 471A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 600mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 50mA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 6690A, 7000A |
Type de RCS | Standard Recovery |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | TO-209AE, TO-118-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | TO-209AE (TO-118) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ST303S12PFK0P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-ST303S12PFK0P-FT |
VS-ST180C16C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180C16C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180C18C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180C20C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S04P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S04P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S06P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S06P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1K30TC144-1N
Intel
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
AT6005-2AI
Microchip Technology
EP4CE10E22I7
Intel
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45I2SGE2
Intel
EP2AGX260FF35C5N
Intel