maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S34MS01G200BHI900
Référence fabricant | S34MS01G200BHI900 |
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Numéro de pièce future | FT-S34MS01G200BHI900 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MS-2 |
S34MS01G200BHI900 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-BGA (11x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS01G200BHI900 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S34MS01G200BHI900-FT |
S34MS02G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G101BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G101BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI500
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel