maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S34MS04G200BHV000
Référence fabricant | S34MS04G200BHV000 |
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Numéro de pièce future | FT-S34MS04G200BHV000 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MS-2 |
S34MS04G200BHV000 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-BGA (11x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS04G200BHV000 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S34MS04G200BHV000-FT |
IS29GL128S-10DHV013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHV02
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHV02-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHV020
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL128S-10DHV023
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB01
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB01-TR
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB010
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB013
Cypress Semiconductor Corp
IS29GL256S-10DHB02
Cypress Semiconductor Corp
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel