maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S25FS512SDSNFV010
Référence fabricant | S25FS512SDSNFV010 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S25FS512SDSNFV010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FS-S |
S25FS512SDSNFV010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 80MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O, QPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FS512SDSNFV010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S25FS512SDSNFV010-FT |
M24C32T-FCU6T/TF
STMicroelectronics
M24C64T-FCU6T/TF
STMicroelectronics
M24128T-FCU6T/TF
STMicroelectronics
M24C32M-FCU6T/TF
STMicroelectronics
M24C64M-FCU6T/TF
STMicroelectronics
AS6C1008-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel