maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS6C2008A-55BIN
Référence fabricant | AS6C2008A-55BIN |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AS6C2008A-55BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS6C2008A-55BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 36-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 36-TFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008A-55BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS6C2008A-55BIN-FT |
7142SA20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel