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Référence fabricant | S25FL256SDPBHB213 |
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Numéro de pièce future | FT-S25FL256SDPBHB213 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100, FL-S |
S25FL256SDPBHB213 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (32M x 8) |
Fréquence d'horloge | 66MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 24-TBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 24-BGA (8x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25FL256SDPBHB213 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S25FL256SDPBHB213-FT |
R1RW0416DSB-2PR#D1
Renesas Electronics America
R1WV6416RBG-5SI#S0
Renesas Electronics America
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel