maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / R1WV6416RBG-5SI#S0
Référence fabricant | R1WV6416RBG-5SI#S0 |
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Numéro de pièce future | FT-R1WV6416RBG-5SI#S0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R1WV6416RBG-5SI#S0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (8.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1WV6416RBG-5SI#S0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R1WV6416RBG-5SI#S0-FT |
PC28F256P33BFF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P33T2E
Micron Technology Inc.
PC28F320J3F75A
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PC28F320J3F75B TR
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PC28F320J3F75D TR
Micron Technology Inc.
PC28F320J3F75E
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PC28F512G18AE
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PC28F512G18FF TR
Micron Technology Inc.
PC28F512M29AWHB TR
Micron Technology Inc.
PC28F512M29AWLB TR
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