maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S1JBHM4G
Référence fabricant | S1JBHM4G |
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Numéro de pièce future | FT-S1JBHM4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
S1JBHM4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1JBHM4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1JBHM4G-FT |
HS2D M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2F M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2F R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2G M4G
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HS2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS2K M4G
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HS2M M4G
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HS3A V6G
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HS3B V6G
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XC3042A-7PQ100C
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M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
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10AX027H3F34E2SG
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Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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