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Référence fabricant | HS2D R5G |
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Numéro de pièce future | FT-HS2D R5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS2D R5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS2D R5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS2D R5G-FT |
SK320B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel