Référence fabricant | S1GHE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-S1GHE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
S1GHE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 782ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 3pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323HE |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1GHE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1GHE-FT |
FES16BTR
ON Semiconductor
FES16CT
ON Semiconductor
FES16CTR
ON Semiconductor
FES16DT
ON Semiconductor
FES16DTR
ON Semiconductor
FES16FT
ON Semiconductor
FES16FTR
ON Semiconductor
FES16HT
ON Semiconductor
FES16HTR
ON Semiconductor
FES16JT
ON Semiconductor
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel