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Référence fabricant | FES16DTR |
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Numéro de pièce future | FT-FES16DTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FES16DTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 170pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES16DTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FES16DTR-FT |
1N914TR_S00Z
ON Semiconductor
1N914_S00Z
ON Semiconductor
1N914_T26A
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1N914_T50R
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1N916A
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1N916ATR
ON Semiconductor
1N916A_T50R
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1N916B_T50R
ON Semiconductor
1N916TR
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1N916_T50R
ON Semiconductor
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
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AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
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5SGXMA3K2F35C2N
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5CGTFD5C5F23C7N
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10AX115R3F40I2SG
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