Référence fabricant | S1DRX |
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Numéro de pièce future | FT-S1DRX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1DRX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 960mV @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123W |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123W |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DRX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1DRX-FT |
PMEG4010ESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG4010ESBZ
Nexperia USA Inc.
PMEG6010AESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG6010ESBYL
Nexperia USA Inc.
NUR460/L01,112
NXP USA Inc.
NUR460P,133
WeEn Semiconductors
NUR460P/L01U
WeEn Semiconductors
NUR460P/L02U
WeEn Semiconductors
NUR460P/L03U
WeEn Semiconductors
NUR460P/L04U
WeEn Semiconductors
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel