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Référence fabricant | PMEG6010ESBYL |
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Numéro de pièce future | FT-PMEG6010ESBYL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMEG6010ESBYL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 730mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2.4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | DSN1006-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG6010ESBYL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMEG6010ESBYL-FT |
MBRF1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1660HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF16H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF735-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF735HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF745HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation