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Référence fabricant | S1DL RTG |
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Numéro de pièce future | FT-S1DL RTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1DL RTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DL RTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1DL RTG-FT |
HS1ML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFAL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
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5SGXEA9K2H40C2N
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XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
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