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Référence fabricant | S1DL RVG |
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Numéro de pièce future | FT-S1DL RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1DL RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DL RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1DL RVG-FT |
SS14LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H15LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H6LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3H45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3U45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3U60HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3U60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel