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Référence fabricant | S1DL RQG |
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Numéro de pièce future | FT-S1DL RQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1DL RQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DL RQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1DL RQG-FT |
HS1KL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1ML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFAL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
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XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
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AFS250-FGG256
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AGLN125V5-VQ100I
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5SGSED8N2F45I3LN
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