maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / S1BLHRQG
Référence fabricant | S1BLHRQG |
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Numéro de pièce future | FT-S1BLHRQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
S1BLHRQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1BLHRQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1BLHRQG-FT |
HS1DL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1GL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1ML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFAL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFJL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel