Référence fabricant | RU 4Z |
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Numéro de pièce future | FT-RU 4Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RU 4Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 3.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 400ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU 4Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RU 4Z-FT |
RM 2V
Sanken
RM 2Z
Sanken
RM 2ZV
Sanken
RM 2ZV1
Sanken
RM1200E-TP
Micro Commercial Co
RM1500E-TP
Micro Commercial Co
RM1800E-TP
Micro Commercial Co
RM25HG-24S
Powerex Inc.
RM35HG-34S
Powerex Inc.
RM400HA-34S
Powerex Inc.
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel