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Référence fabricant | RM1200E-TP |
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Numéro de pièce future | FT-RM1200E-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RM1200E-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2V @ 500mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMAE) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM1200E-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RM1200E-TP-FT |
RL102-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL102-TP
Micro Commercial Co
RL103-AP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL103-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel