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Référence fabricant | RL102-N-2-3-AP |
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Numéro de pièce future | FT-RL102-N-2-3-AP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RL102-N-2-3-AP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial, Radial Bend |
Package d'appareils du fournisseur | A-405 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL102-N-2-3-AP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL102-N-2-3-AP-FT |
RGP10DE-052E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10G-6038M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10J-057M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10J-5025M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10J-7008M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10K-5008M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10M-5010E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10M-5304M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10M-7008E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10M-7008E3/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel