Référence fabricant | RU 4M |
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Numéro de pièce future | FT-RU 4M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RU 4M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 3.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 400ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU 4M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RU 4M-FT |
RM 2CV
Sanken
RM 2V
Sanken
RM 2Z
Sanken
RM 2ZV
Sanken
RM 2ZV1
Sanken
RM1200E-TP
Micro Commercial Co
RM1500E-TP
Micro Commercial Co
RM1800E-TP
Micro Commercial Co
RM25HG-24S
Powerex Inc.
RM35HG-34S
Powerex Inc.
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
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5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
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