Référence fabricant | RU 1B |
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Numéro de pièce future | FT-RU 1B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RU 1B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.5V @ 250mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 400ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU 1B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RU 1B-FT |
RL106-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL106-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL106-TP
Micro Commercial Co
RL107-AP
Micro Commercial Co
RL107-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL107-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL107-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
RL107-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL107-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL107-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel