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Référence fabricant | RL106-N-2-3-AP |
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Numéro de pièce future | FT-RL106-N-2-3-AP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RL106-N-2-3-AP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial, Radial Bend |
Package d'appareils du fournisseur | A-405 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL106-N-2-3-AP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RL106-N-2-3-AP-FT |
RJS6004TDPN-EJ#YJ1
Renesas Electronics America
RJS6004TDPP-EJ#T2
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RJS6004TDPP-EJ#YJ1
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RJS6005TDPN-EJ#T2
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RJS6005TDPP-EJ#T2
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RJU3051SDPE-00#J3
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RJU3051TDPP-EJ#T2
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RJU4351SDPE-00#J3
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RJU4351TDPP-EJ#T2
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RJU4352SDPE-00#J3
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A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
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EP4SGX110HF35I3
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