maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RSD201N10TL
Référence fabricant | RSD201N10TL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RSD201N10TL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RSD201N10TL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | CPT3 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSD201N10TL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RSD201N10TL-FT |
R6012ANJTL
Rohm Semiconductor
R6012FNJTL
Rohm Semiconductor
R6015ANJTL
Rohm Semiconductor
R6015FNJTL
Rohm Semiconductor
R6018ANJTL
Rohm Semiconductor
R6020ANJTL
Rohm Semiconductor
R6020FNJTL
Rohm Semiconductor
RSJ300N10TL
Rohm Semiconductor
2SK3019TL
Rohm Semiconductor
RZE002P02TL
Rohm Semiconductor
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation