maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / R6015ANJTL
Référence fabricant | R6015ANJTL |
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Numéro de pièce future | FT-R6015ANJTL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R6015ANJTL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 100W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LPTS |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6015ANJTL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R6015ANJTL-FT |
RD3H080SPFRATL
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RD3H080SPTL1
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