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Rohm Semiconductor RD3H080SPFRATL

Name: RD3H080SPFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H080SPFRATL
Price: 0.443296 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (622 reviews)

Numéro de pièce MFG: RD3H080SPFRATL

quantité disponible: 51550 Pièces

Prix de référence: USD 0.443296

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: Automotive, AEC-Q101 RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RD3H080SPFRATL.pdf

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RD3H080SPFRATL Caractéristiques

Référence fabricant	RD3H080SPFRATL
Numéro de pièce future	FT-RD3H080SPFRATL
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
RD3H080SPFRATL Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	45V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	91 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	15W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RD3H080SPFRATL Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RD3H080SPFRATL-FT

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