maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RUQ050N02TR
Référence fabricant | RUQ050N02TR |
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Numéro de pièce future | FT-RUQ050N02TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RUQ050N02TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.25W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TSMT6 (SC-95) |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RUQ050N02TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RUQ050N02TR-FT |
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