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Référence fabricant | RSD200N10TL |
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Numéro de pièce future | FT-RSD200N10TL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RSD200N10TL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | CPT3 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSD200N10TL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RSD200N10TL-FT |
RJU003N03T106
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2SK3018T106
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5SGXMA3K2F35I3N
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Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
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MPM7128SQC100AC
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