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Rohm Semiconductor RSD200N10TL

Numéro de pièce MFG
RSD200N10TL
quantité disponible
53590 Pièces
Prix de référence
USD 0
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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RSD200N10TL Caractéristiques

Référence fabricant RSD200N10TL
Numéro de pièce future FT-RSD200N10TL
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RSD200N10TL Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur CPT3
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RSD200N10TL Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RSD200N10TL-FT

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