maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RHU002N06T106
Référence fabricant | RHU002N06T106 |
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Numéro de pièce future | FT-RHU002N06T106 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RHU002N06T106 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 200mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | UMT3 |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RHU002N06T106 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RHU002N06T106-FT |
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