Référence fabricant | RS507-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RS507-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS507-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, RS-5 |
Package d'appareils du fournisseur | RS5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS507-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS507-G-FT |
GBJ1504
Diodes Incorporated
GBJ1506
Diodes Incorporated
GBJ1510
Diodes Incorporated
GBJ20005
Diodes Incorporated
GBJ20005-F
Diodes Incorporated
GBJ2001
Diodes Incorporated
GBJ2002
Diodes Incorporated
GBJ2004
Diodes Incorporated
GBJ2006
Diodes Incorporated
GBJ2010
Diodes Incorporated
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
5SGXMBBR3H43I3N
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
XC7V585T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
5SGXMA3H3F35C4N
Intel
EP2A40F1020I8
Intel