Référence fabricant | GBJ1510 |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ1510 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ1510 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 7.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1510 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ1510-FT |
PB62
Diodes Incorporated
PB62-F
Diodes Incorporated
PB64
Diodes Incorporated
HD01-T
Diodes Incorporated
HD06-T
Diodes Incorporated
HD04-T
Diodes Incorporated
HD02-T
Diodes Incorporated
RH04-T
Diodes Incorporated
RH06-T
Diodes Incorporated
KBP206G
Diodes Incorporated
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel