Référence fabricant | PB62-F |
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Numéro de pièce future | FT-PB62-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PB62-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 3A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, PB-6 |
Package d'appareils du fournisseur | PB-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PB62-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PB62-F-FT |
DF01S2
ON Semiconductor
DF005S
ON Semiconductor
DF005S1
ON Semiconductor
DF005S2
ON Semiconductor
GBPC2504W
ON Semiconductor
GBPC1504W
ON Semiconductor
GBPC3508W
ON Semiconductor
GBPC1510W
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GBPC35005W
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GBPC2501W
ON Semiconductor
EPF10K50ETC144-2
Intel
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
Intel
EP20K1000EBC652-1X
Intel