maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / RS2GHE3_A/H
Référence fabricant | RS2GHE3_A/H |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RS2GHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
RS2GHE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2GHE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS2GHE3_A/H-FT |
US1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1GHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel