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Rohm Semiconductor RS1E200BNTB

Name: RS1E200BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200BNTB
Price: 0.15128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (132 reviews)

Numéro de pièce MFG: RS1E200BNTB

quantité disponible: 88360 Pièces

Prix de référence: USD 0.15128

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RS1E200BNTB.pdf

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RS1E200BNTB Caractéristiques

Référence fabricant	RS1E200BNTB
Numéro de pièce future	FT-RS1E200BNTB
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RS1E200BNTB Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-HSOP
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1E200BNTB Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RS1E200BNTB-FT

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