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Référence fabricant | RS1DL RQG |
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Numéro de pièce future | FT-RS1DL RQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS1DL RQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 800mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1DL RQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1DL RQG-FT |
SD103CW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1BL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1ML RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFGL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel