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Référence fabricant | ES1BL R3G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1BL R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1BL R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BL R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1BL R3G-FT |
ES1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H15LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel