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Référence fabricant | ES1BL R3G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1BL R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1BL R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BL R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1BL R3G-FT |
ES1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H15LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel