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Référence fabricant | RS1DLHRTG |
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Numéro de pièce future | FT-RS1DLHRTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
RS1DLHRTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 800mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1DLHRTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1DLHRTG-FT |
HS1AL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
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XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
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10M40DAF256I6G
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XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel