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Référence fabricant | HS1BL MQG |
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Numéro de pièce future | FT-HS1BL MQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1BL MQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1BL MQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1BL MQG-FT |
ES1BL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHM2G
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ES1BLHMHG
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ES1BLHMQG
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ES1BLHMTG
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ES1BLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1BLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K50STC144-1
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XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
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MPF100TS-1FCVG484I
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XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
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LFE2-12E-6FN484C
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