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Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB

Name: RQ3E100BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E100BNTB
Price: 0.0858 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (435 reviews)

Numéro de pièce MFG: RQ3E100BNTB

quantité disponible: 37270 Pièces

Prix de référence: USD 0.0858

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Rohm Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RQ3E100BNTB.pdf

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RQ3E100BNTB Caractéristiques

Référence fabricant	RQ3E100BNTB
Numéro de pièce future	FT-RQ3E100BNTB
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RQ3E100BNTB Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-HSMT (3.2x3)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E100BNTB Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RQ3E100BNTB-FT

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