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Référence fabricant | RCJ450N20TL |
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Numéro de pièce future | FT-RCJ450N20TL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RCJ450N20TL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 45A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 22.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.56W (Ta), 40W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LPTS |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCJ450N20TL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RCJ450N20TL-FT |
2SK2103T100
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2SK2463T100
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XCV50-6TQ144C
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LFE5UM-45F-8BG554C
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5SGXMA5K1F40C2LN
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XC4013E-2HQ208I
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XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
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M1AGL1000V2-FGG144I
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