maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RQ3C150BCTB
Référence fabricant | RQ3C150BCTB |
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Numéro de pièce future | FT-RQ3C150BCTB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RQ3C150BCTB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-HSMT (3.2x3) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3C150BCTB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RQ3C150BCTB-FT |
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