maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN2111CT(TPL3)
Référence fabricant | RN2111CT(TPL3) |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN2111CT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN2111CT(TPL3) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 50mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Package d'appareils du fournisseur | CST3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2111CT(TPL3) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN2111CT(TPL3)-FT |
RN2115,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2116,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1114(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1116(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
10AX115U1F45E1SG
Intel
EPF8282ALC84-3
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel