maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1104T5LFT
Référence fabricant | RN1104T5LFT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN1104T5LFT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1104T5LFT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
Package d'appareils du fournisseur | SSM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1104T5LFT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1104T5LFT-FT |
BCR158WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR166WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR166WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR169WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR169WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR183WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR183WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR185WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR185WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR191WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel