maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1104T5LFT
Référence fabricant | RN1104T5LFT |
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Numéro de pièce future | FT-RN1104T5LFT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1104T5LFT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
Package d'appareils du fournisseur | SSM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1104T5LFT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1104T5LFT-FT |
BCR158WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR166WE6327HTSA1
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BCR166WH6327XTSA1
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BCR169WE6327HTSA1
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BCR169WH6327XTSA1
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BCR183WE6327HTSA1
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BCR185WE6327BTSA1
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BCR191WE6327HTSA1
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LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
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XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
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M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
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5SGSMD5H1F35C2LN
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XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
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