maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / BCR169WE6327HTSA1
Référence fabricant | BCR169WE6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BCR169WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCR169WE6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT323-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR169WE6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCR169WE6327HTSA1-FT |
UNR31AE00L
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UNR31AEG0L
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UNR31AM00L
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UNR32A000L
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A3P015-2QNG68
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XA2S100E-6TQ144Q
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XCS10-4PC84C
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XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
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