maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN2103(T5L,F,T)
Référence fabricant | RN2103(T5L,F,T) |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN2103(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN2103(T5L,F,T) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
Package d'appareils du fournisseur | SSM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2103(T5L,F,T) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN2103(T5L,F,T)-FT |
BCR191WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR191WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR192WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR192WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
EP20K160ETC144-3N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68I
Microsemi Corporation
EP4SGX180KF40I3N
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H1F35C2N
Intel