maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1102MFV,L3F
Référence fabricant | RN1102MFV,L3F |
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Numéro de pièce future | FT-RN1102MFV,L3F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1102MFV,L3F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VESM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1102MFV,L3F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1102MFV,L3F-FT |
UNR32A500L
Panasonic Electronic Components
UNR32A5G0L
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UNR32A600L
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XC3SD1800A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL090S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672C6
Intel
5SGSED6N2F45C2LN
Intel
XC7VX415T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel